钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材，在半导体域用于制造栅电、连接布线、分散阻挡层等。钨靶材首要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等域。
其间，纯钨靶材首要用作金属层间的通孔和笔直触摸的触摸孔的填充物，即钨塞。而钨合金靶材，如WSi2，首要用在栅多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。跟着半导体芯片尺寸越来越小，铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的添加，这已成为限制半导体工业开展的个技术瓶颈。有研究表明，难熔金属钨有望取代铜成为下代的半导体布线金属材料。
点
喷涂、烧结后的钨靶,具有99%的密度甚至更高、平均通明纹路的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少，偏转角力为500Mpa左右的性;提高未加工金属粉末的出产，提高烧结的才能，可以使钨靶的成本稳定在个低价位。烧结后的钨靶密度高，具有传统的压制烧结方法所无法到达的高水准的通明框架，而且明显改善了偏转角力，致使颗粒物显著的削减。
物理性质
元素符号： W
原子序数： 74
稳定同位素及其所占%： 180(0.14);182(26.41); 183(14.40);184(30.64);186(28.41)
相对原子质量： 183.85
自由原子的电子层结构： 1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25P65d46S2
原子体积： 9.53 cm3/mol
密度： 19.35 g/cm3
晶体结构及晶格常数： α-W：体心立方 a=3.16524 nm(25℃)
β-W：立方晶格 a=5.046 nm(630℃以下稳定)
熔点： 3410±20℃
沸点： 5927℃
熔化潜热： 40.13±6.67kJ/mol
升华热： 847.8 kJ/mol(25℃)
蒸发热： 823.85±20.9kJ/mol(沸点)
电阻温度系数： 0.00482 I/℃
电子逸出功： 4.55 eV
热中子俘获面： 19.2 b
弹性模量： 35000~38000 MPa(丝材)
扭力模量： ～36000Mpa
体积模量： 3.108×1011-1.579×107t+0.344×103t2 Pa
剪切模量： 4.103×1011-3.489×107t+7.55×103t2 Pa
压缩性： 2.910-7 cm/kg
钨有两种变型，α和β。在标准温度和常压下，α型是稳定的体心立方结构。β型钨只有在有氧存在的条件下才能出现。它在630℃以下是稳定的，在630℃以上又转化为α钨，并且这过程是不可逆的。
纯度：钨99.95%以上
密度：19.35g/cm3
表面状态：磨光或碱洗
