目前IC行业所需高端超高纯金属铜靶材几乎全部为国外几个大型跨国公司所垄断。国内IC行业所需的超纯铜靶材基本全部需要进口，不仅价格昂贵，而且进口手续繁杂.所以中国急需提高对超高纯度(6N)铜溅射靶材的开发及验证。下面就让北京瑞弛的小编带你看看超高纯度(6N)铜溅射靶材的开发重点和难点都有哪些。
一、超高纯度材料开发
中国高纯cu，Al，Ta金属的提纯技术与工业发达国家的差距较大，目前能够提供的多数高纯金属，按照行业常规的全元素分析方法，尚不能满足集成电路对溅射靶材的质量要求。靶材中夹杂物的数量过高或分布不均，在溅射过程中常在晶圆上形成微粒，导致互连线短路或断路，严重影响薄膜的性能。
二、铜溅射靶材制备技术的开发
铜溅射靶材制备技术开发主要关注晶粒的尺寸、取向控制及其均匀性三个方面。半导体产业对于溅射靶材、蒸发原材料的要求是最高的，对靶材表面晶粒度控制以及晶体取向有相当苛刻的要求，靶材的晶粒必须控制在100μm以下，因此，对晶粒尺寸控制，以及相关分析检测的手段对金属靶材开发极为重要。
三、分析与检测技术的开发
靶材的高纯度化意味着所含杂质的降低。以往杂质的测定方法采用电感耦合等离子体法(ICP)、原子吸收光谱法，但近年来有逐渐以灵敏度更高的辉光放电质量分析法(GDMS)为标准的倾向。电学纯度测定方法主要采用残留电阻比RRR法，其测定原理是通过测定杂质的电子散乱程度，评价基体金属纯度。由于是测定室温和极低温时的电阻，取数简单。近年来为探索金属的本质，超高纯度化的研究十分活跃，此种情况下的纯度评价最好采用RRR值。
