什么是多晶硅靶材
多晶硅是一种重要的溅射靶材材料，使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层，能够使基体材料具有更好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。
铸造长晶工艺，是经过精确控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始逐渐向顶部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，能够实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。
铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率最优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到顶部逐渐减小。
